HP 48G
hp48g.jpg hp48g-pcb.jpg
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HP 48G のキーの接触不良の修理とメモリーのアップグレード

細田 隆之
Sep. 28, 2011 : 修理とRAMを128KBのに交換
Oct. 15, 2011 : 128KBのRAMの増設とメモリバックアップの追加
hp-48g-connector.jpg 接触不良のキーの補修。

3.5mm幅で0.8mm厚の発泡ポリエチレンの両面テープ (3M 4462W) をコネクタ下の 潰れたフォームラバーの上に張って接触不良のキーパッドのコネクタを補修。
hp-48g-orig.jpg HP 48G のプリント基板。

32KB の RAM と 1000μF のアルミ電解コンデンサを交換する。
hp-48g-remove.jpg RAM と電解コンデンサを取り外したところ。

電解コンデンサ (Nippon chemi-con, ESME6R3E102MUC5S 2000h@85°C) は古いものだが、
測ってたところ容量は 1060μF で洩れ電流は 1.0μA(@ 5.0V,25°C) だった。
これは 18年ものの電解コンデンサとしては十分な特性といえる。
hp-48g-replace.jpg RAM と電解コンデンサを交換。

RAM: Cypress, CY62128ELL-45SKI, 1MBIT(128K×8) 45NS 4.5-5.5V
コンデンサ: Panasonic, EEUFR0J122, 1200μF 6.3V 6000h@105°C
hp-48g-iram-ok-128k.jpg 自己診断。
IRAM OK 128K
hp-48g-iram-ok-128k.jpg ポート1 の RAM カードとしてメモリバックアップ回路ともう一個 RAM を追加。

バッテリホルダはポリイミドテープで絶縁し基板に接着している。

。リチウムコイン電池への、ダイオードの逆方向洩れ電流による累計充電電流は、 CR2032 の電池容量 220mA の 3% 未満でなくてはならない。 したがってメモリのバックアップ期間を 5年とすると、平均洩れ電流は 0.03 * 220mAh / (5 年 * 365 日 * 24 時間) ≈ 150nA. 以下でなければならない。そういった理由で順方向電圧が低く、低洩れ電流 Irtyp≈100nA (@ Ta=35°C, Vr=2.5V) の BAR43CFILM を選んでいる。

実際に CR2032 への充電電流を測定したところ 60〜70nA (@ Ta=27°C, Vcc=5V, Vbattery=3.1V) であった。
hp-48g-replace.jpg 部分回路図

RAM: Cypress, CY62128ELL-45SKI, 1MBIT(128K×8) 45NS 4.5-5.5V
積層セラミックコンデンサ: Murata, RPEF11W104Z2K1A01B, 100nF 50V, F
ダイオード: STM, BAR43CFILM, SiSB, 30V 100mA, Vf=0.45Vmax@If=15mA, Ir=500nAmax@Vr=25V
電池: Maxell, CR2032, 3V 220mAh

。 RX2:330Ω は ダイオード DX1 が短絡モードで故障した場合に、Vcc から CR2032 への電流を バッテリーが破裂しないと考えられる 10mA 以下の安全な程度に制限するための 保護抵抗である。
hp-48g-replace.jpg ポート1のメモリをポート0にマージしてメモリと容量のチェック。

Mem Available :
256324 bytes

今のところ良さそう ^^)

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